1. 透射電子顯微鏡樣品的制備

根據(jù)所使用的樣品，可能需要適當(dāng)?shù)臉悠分苽洹?/span>

厚樣品
用普通透射電子顯微鏡觀察的樣品必須薄至 100 nm 左右。
1. 分散法
將樣品分散在溶劑中，并將分散液滴到觀察基板上。
2. 切片機(jī)法
該方法使用金剛石刀將樣品薄化至 100 nm 左右。聚合物等軟樣品用液氮冷卻，然后切割。
3.Ar銑削法
通過(guò)機(jī)械加工將厚度減至幾十微米的樣品用Ar +離子照射，破壞樣品中的鍵，將其切成薄片。
4. FIB 方法在用
掃描電子顯微鏡（SEM）觀察的同時(shí)，使用 FIB 細(xì)化目標(biāo)區(qū)域。使用加速電壓為1000 kV以上的甚高壓電子顯微鏡（HVEM），可以觀察厚至5 µm的樣品，但由于設(shè)備極其龐大且結(jié)構(gòu)復(fù)雜，主要由馬蘇等研究設(shè)施。

不含重元素的聚合物樣品和生物樣品
主要由C、H、N和O等輕元素組成，因此它們具有較高的電子透明度，可能無(wú)法為結(jié)構(gòu)識(shí)別提供足夠的對(duì)比度。使用具有高電子散射能力的染色劑（例如 OsO 4或 RuO 4 ）對(duì)想要觀察結(jié)構(gòu)的區(qū)域進(jìn)行選擇性電子染色，可以獲得具有足夠?qū)Ρ榷鹊膱D像。電子染色可以改變樣品的結(jié)構(gòu)，為了避免這種影響，使用透射電子顯微鏡的相位差或使用掃描透射電子顯微鏡（STEM）獲得對(duì)比度是有效的。

高真空條件下蒸發(fā)或升華的樣品
如果在高真空條件下發(fā)生蒸發(fā)或升華，不僅會(huì)導(dǎo)致樣品的結(jié)構(gòu)和形狀發(fā)生變化，還可能導(dǎo)致設(shè)備故障。為了防止這種情況，有必要使用環(huán)境控制的透射電子顯微鏡（ETEM）或冷凍電子顯微鏡。

2. 透射電子顯微鏡附屬的主要分析裝置

圖3 電子束照射產(chǎn)生的主要電磁波

當(dāng)用加速電子束照射樣品時(shí)，可以獲得電子以外的各種信號(hào)，因此可以將各種類型的分析設(shè)備附接到透射電子顯微鏡。

電子束衍射
通過(guò)檢測(cè)彈性散射電子束的干涉可以獲得樣品的衍射圖像。分析衍射圖像可提供晶體結(jié)構(gòu)和取向等晶體學(xué)信息。

電子能量損失光譜 (EELS)
非彈性散射電子束是入射電子束激發(fā)樣品中的電子后從樣品發(fā)射的電子束。通過(guò)測(cè)量電子束與照射前相比損失了多少能量，可以確定樣品的成分和鍵合狀態(tài)等信息。

電子束斷層掃描
通過(guò)將 CT（計(jì)算機(jī)斷層掃描）原理應(yīng)用于發(fā)射的電子，可以通過(guò)疊加樣品的斷層掃描圖像來(lái)創(chuàng)建三維立體圖像。

除此之外，還可以添加各種分析功能。與使用單獨(dú)的測(cè)量裝置進(jìn)行的測(cè)量相比，可以在觀看透射電子顯微鏡圖像的同時(shí)選擇測(cè)量位置，從而可以進(jìn)行更詳細(xì)的測(cè)量。